英特尔的10纳米技术秘密

量子阱FET，锗及InGaAs混合

莫大康编译

  一位半导体分析师关于英特尔的10纳米技术作了大胆的预测，可能适用于它的下二代技术，包括7纳米及5纳米？。如果它的预测是正确的，英特尔将继续保持它成为领先的全球芯片制造商。

分析师DavidKanter在它的现实世界技术网站中透露英特尔采用量子阱FET技术在它的10纳米工艺中。这种全新的晶体管结构采用两种新的材料，铟镓砷作n型晶体管,及引变硅锗作p型器件。

如果分析师说得对,将使英特尔确有能力在2016年就开始量产10纳米技术,而相比于其它对手在功耗方面要低200毫瓦。Kanter认为全球其它的芯片制造商在7纳米节点时也不一定能采用此项技术，差距至少有两年。

Kanter说,它至少提前1年时间透露了英特尔的10纳米技术细节,而且有80-90%的把握。Kanter是根据在每年IEDM会上英特尔的研究报告,约有24本进行研究才得出此看法,它同时也分析英特尔的芯片专利技术材料。

Kanter告诉EE Times,它看到英特尔的所有事都指向这个方向,现在整个半导体产业界不是谁在做量子阱FET技术,而是下一代10纳米，或是7纳米技术该如何走下去的问题。

英特尔的芯片研发中采用化合物半导体的沟道并没有什么奇特，但是业界中没有一家象它那样专注这么久时间。英特尔的专利及论文中提到用锗材料很稀缺，显然它的原理非常易理解(载流子的迁移率高)，然而工艺实现是非常困难,所以英特尔才决定采用引变硅锗技术。

Kanter在它之前己出版的文章中曾透露过，英特尔的新晶体管结构可能如下图所示：

ASML获美国客户大单

来源：苹果日报

全球半导体微影技术领导厂商艾司摩尔（ASML）今宣布接获1家美国主要客户的订单至少采购15台EUV（极紫外光）微影系统。该客户预计将EUV 微影系统用于未来先进制程中，支援其新世代产品的研发和试产。其中，2台NXE:3350B 预计于2015年底前完成出货。业界人士推测该名客户为英特尔（Intel）

 EUV 极紫外光微影技术是实现持续制程微缩的重要半导体曝光技术，相较于目前先进制程所使用的浸润式（immersion）微影技术，EUV的好处是能够简化先进制程的制造工序，同时达到提升良率和缩短生产时间的效益。今年适逢摩尔定律发表50周年，EUV被半导体业界视为能让摩尔定律往下延续的重要关键技术，可以让晶片上覆载更多电晶体，同时降低晶片单位功能成本并提升能源效率。

 ASML总裁暨执行长温彼得（Peter Wennink）表示，“EUV 现在已经接近量产阶段。在长期规划和周边支援系统(ecosystem) 的准备方面，EUV都获得半导体业界的强力支持，预料这将启动全球半导体产业的另一波创新。”

 ASML EUV于2015年第1季时，1台在客户端的NXE: 3300B EUV系统已在测试中达到24小时内曝光超过1000片晶圆。ASML并已在多个客户厂区开始进行EUV光源功率的升级作业。

另截至2015年第1季，ASML累积出货8台NXE:3300B EUV 系统。而台积电（2330）于2014年11月下单的2台NXE:3350B EUV系统将于2015年完成出货。此外，已经出货到台积电的2台NXE:3300B EUV系统也将升级到新一代的NXE:3350B。（萧文康／台北报导）

(本文来源：半导体行业观察)